試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

集成電路電阻可以通過（）產生。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數載流子來區(qū)別。