比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。