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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】描述CVD生長(zhǎng)的簡(jiǎn)化過(guò)程。寫出影響CVD生長(zhǎng)速率的因素。
答案:
影響CVD生長(zhǎng)速率的因素:①質(zhì)量傳輸限制(常壓CVD);②表面反應(yīng)限制(低壓CVD);③CVD氣流動(dòng)力學(xué);④...
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【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述集成電路對(duì)薄膜的要求。
答案:
①好的臺(tái)階覆蓋能力;
②填充高深寬比間隙的能力;
③好的厚度均勻性;
④高純度和高密度;<...
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名詞解釋
化學(xué)氣相沉積(CVD)
答案:
化學(xué)氣相沉積是利用電阻加熱、等離子體、光輻射等能源使某些氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)物質(zhì)并沉積在襯底表面形成薄膜的過(guò)程...
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