什么是MOS器件的體效應？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。