A、磁滯回線
B、磁化曲線
C、起始磁化曲線
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A、B=ΦB/S
B、B=S/ΦB
C、B=S*ΦB
A.飽和點(diǎn);
B.居里點(diǎn);
C.熔點(diǎn);
D.轉(zhuǎn)向點(diǎn)
A、左手定則
B、右手定則
C、都不對(duì)
A、左手定則
B、右手定則
C、都不對(duì)
A、左手定則
B、右手定則
C、都不對(duì)
最新試題
一般說(shuō)來(lái),進(jìn)行了周向磁化工件的退磁,應(yīng)先進(jìn)行一次縱向磁化。
JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定:兩條或兩條以上缺陷磁痕在同一直線上且間距不大于2mm時(shí),按一條磁痕處理,其長(zhǎng)度為兩條磁痕之和加間距。
在不退磁的情況下,周向磁化產(chǎn)生的剩磁比縱向磁化產(chǎn)生的剩磁有更大的危害性。
退磁就是消除材料磁化后的剩余磁場(chǎng)使其達(dá)到無(wú)磁狀態(tài)的過(guò)程。
濕法用磁粉粒度一般比干法小。
C型靈敏度試片與A型靈敏度試片使用方法相同,只是C型靈敏度試片能用于狹小部位。
磁懸液應(yīng)采用軟管沖淋或浸漬法施加于工件表面。
JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定:磁粉檢測(cè)的工件表面不得有油脂、鐵銹、氧化皮或其它粘附磁粉的物質(zhì)。
熒光磁粉檢測(cè)時(shí),磁痕的評(píng)定應(yīng)在暗室或暗處進(jìn)行,暗室或暗處可見(jiàn)光照度應(yīng)不小于20Lx。
采用剩磁法時(shí),磁懸液應(yīng)在通電結(jié)束后再施加,一般通電時(shí)間為2~3s。