單項(xiàng)選擇題制水除鹽水箱二氧化硅控制標(biāo)準(zhǔn)是（）。

A.≤20μS/cm；
B.≤20mmol/L；
C.≤100mg/L；
D.≤20μg/L。


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1.單項(xiàng)選擇題陽(yáng)陰床再生完成后，正洗的目的是清除樹(shù)脂中殘余的（），防止再生后可能出現(xiàn)的逆向反應(yīng)。

A.破碎樹(shù)脂；
B.碳酸鈣；
C.再生劑和再生產(chǎn)物；
D.氯離子。

2.單項(xiàng)選擇題硅表測(cè)定硅酸根時(shí)加入的還原劑是（）。

A.1.2.4酸；
B.檸檬酸；
C.硫酸；
D.硫化鈉；

3.單項(xiàng)選擇題反滲透膜的滲透特點(diǎn)是（）。

A.只容許透過(guò)陽(yáng)離子；
B.只容許透過(guò)陰離子；
C.只透過(guò)溶質(zhì)，不透過(guò)水；
D.只透過(guò)水，基本不透過(guò)溶質(zhì)。

4.單項(xiàng)選擇題廢水處理系統(tǒng)反滲透入口氧化還原點(diǎn)位ORP建議控制在（）mv。

A.50-100；
B.100-150；
C.150-200；
D.200-235。

5.單項(xiàng)選擇題發(fā)電機(jī)內(nèi)冷水硬度的控制指標(biāo)是（）。

A.≤3μmol/L；
B.0μmol/L；
C.≤40μmol/L；
D.≤2μmol/L。