二極管穩(wěn)壓電路如圖所示。
（1）近似計算功率管的耗散功率P_Z，并說明在何種情況下，P_Z達到最大值或最小值；
（2）計算負載吸收的功率；
（3）限流電阻R所消耗的功率為多少？

電路如圖所示，輸出在兩個二極管的基礎上再增加一個二極管，以提高輸出電壓。
（1）利用硅二極管恒壓模型求電路的I_D和V_o＝？
（2）在室溫300K下，利用二極管的小信號模型求V_o的變化范圍。
（3）在輸出電壓端外接一負載R_L＝1kΩ，問輸出電壓的變化范圍如何？

電路如圖所示，設V_i＝6sinωbV，試繪出輸出電壓V_o的波形。設D為硅二極管，使用恒壓降（0.7V）模型和折線模型（V_th＝0.6V，r_D＝40Ω）進行分析。

共射電路如圖所示。已知晶體管的β＝50；I_CBO=0，V_B=5.6V，R_B=100kΩ，V_CC=12V，V_BE（on）=0.6V。
（1）如R_C=2kΩ，試求基極電流I_B集電極電流I_C和V_CE的值，并說明電路的工作狀態(tài)。
（2）如R_C=5.1kΩ，重復（1）。
（3）如晶體管工作在放大狀態(tài)，調(diào)節(jié)R_B使集電極電流I_C=2mA，電壓∣V_A∣=120V，r_bb′=50Ω，試畫出晶體管的低頻微變等效電路，并標出元件值。