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單項選擇題

DDR內(nèi)存缺口為()個

A.1
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C.3
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  • 單項選擇題

    內(nèi)存類型是DDR400,內(nèi)存工作頻率是()GB/S

    A.1.6
    B.2.1
    C.2.7
    D.3.2

  • 判斷題

    DRAM的儲存密度較高、成本低,不需要額外增加更新電路,速度較快。

    答案:錯誤
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