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單項(xiàng)選擇題內(nèi)存頻率細(xì)分為（）、（）和（）三種頻率。

A.數(shù)據(jù)，存取周期，DRAM核心
B.數(shù)據(jù)，時(shí)鐘，SRAM核心
C.數(shù)據(jù)、時(shí)鐘、DRAM核心
D.地址，時(shí)鐘，DRAM核心

1.單項(xiàng)選擇題 DDR SDRAM每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只能通過(guò)總線傳輸（）次數(shù)據(jù)。而DDRII SDRAM則可以傳送（）次數(shù)據(jù)。

A.2，6
B.4，6
C.2，4
D.4，8

2.單項(xiàng)選擇題內(nèi)存多手指的兩種制造方法是（）

A.電鍍和化學(xué)鍍
B.焊鍍和化學(xué)鍍
C.電鍍和物理鍍
D.焊鍍和物理鍍

3.單項(xiàng)選擇題ECC中文準(zhǔn)確解釋為（）

A、錯(cuò)誤檢查
B、錯(cuò)誤糾正
C、自動(dòng)錯(cuò)誤檢查與糾正
D、綜合性能

4.單項(xiàng)選擇題RDRAM[RAMBUS]內(nèi)存技校使用的中（）位內(nèi)存總線。

A.16
B.32
C.64
D.128

5.單項(xiàng)選擇題具備ECC校驗(yàn)功能的內(nèi)存條，每一面有（）片內(nèi)存顆粒。

A.4
B.7
C.8
D.9