多項(xiàng)選擇題內(nèi)存的指標(biāo)包括（）

A.存取時(shí)間
B.CAS延遲時(shí)間
C.奇偶校驗(yàn)
D.ECC


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1.單項(xiàng)選擇題DDRAM支持（）信號(hào)超標(biāo)準(zhǔn)。

A.IEEE
B.TTL
C.GTL
D.SSTL2

2.多項(xiàng)選擇題目前大多數(shù)的SDRAM芯片的存取時(shí)間為（）ns.

A.5
B.6
C.7
D.8
E.9
F.10

3.多項(xiàng)選擇題內(nèi)存進(jìn)行讀操作主要經(jīng)歷下面哪些過(guò)程。（）

A.選中地址
B.DRAM需要恒定電流以保存信息
C.傳送
D.內(nèi)存芯片輸出數(shù)據(jù)到外部

4.多項(xiàng)選擇題內(nèi)部存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用是（）

A.暫時(shí)存放正在執(zhí)行的程序、原始數(shù)據(jù)、中間結(jié)果和運(yùn)算結(jié)果
B.作為CPU運(yùn)行程序的區(qū)域
C.配合CPU與外設(shè)打交道
D.存放計(jì)算機(jī)BIOS數(shù)據(jù)

5.單項(xiàng)選擇題DDRII內(nèi)存的CL（CASLatency）數(shù)值只能達(dá)到（）。

A.4-4-8-8
B.4-8-4-8
C.4-4-4-8
D.4-8-8-8