單項選擇題關(guān)于擴散硅式壓力變送器下列描述錯誤的是（）。

A、擴散硅芯片由單晶硅經(jīng)過采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴散制成
B、其硅片上沿單晶硅的特點晶向，制成應變電阻，構(gòu)成惠斯凳電橋
C、集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體
D、根據(jù)壓阻效應，將壓力轉(zhuǎn)換成破壞惠斯凳電橋橋路平衡的電流，再根據(jù)電流變化與壓力大小的非線性關(guān)系，推算壓力大小。


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1.單項選擇題擴散硅式壓力變送器的工作主要是基于（）。

A、硅晶體的壓阻效應
B、硅晶體的擴散效應
C、硅晶體的應變效應
D、硅晶體的半導體特性

2.單項選擇題電容式壓力變送器和電容式差壓變送器的工作原理（）。

A、相同
B、不同
C、相近
D、相反

4.單項選擇題壓力（表壓）變送器比壓差變送器簡單，只有一個測量端，另一端不接壓力管，參考壓力為（）。

A、標準大氣壓
B、人為給定壓力
C、環(huán)境壓力
D、零

5.單項選擇題應變式壓力傳感器輸出多為（）。

A、電流信號
B、數(shù)字信號
C、電壓信號
D、壓力信號