A.少數(shù)載流子
B.多數(shù)載流子
C.少數(shù)載流子和多數(shù)載流子
D.以上都不對(duì)
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A.N區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)正離子是順著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
B.N區(qū)內(nèi)的多子電子是順著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
C.P區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)負(fù)離子是逆著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
D.P區(qū)內(nèi)的多子空穴是順著外電場(chǎng)的方向運(yùn)動(dòng)
A.N區(qū)的空穴與P區(qū)的電子形成的電流,稱為反向電流
B.N區(qū)的空穴與P區(qū)的電子都遠(yuǎn)離空間電荷區(qū),使空間電荷區(qū)變寬
C.N區(qū)的電子與P區(qū)的空穴都靠近空間電荷區(qū),使空間電荷區(qū)變寬
D.N區(qū)的電子與P區(qū)的空穴形成的電流,稱為反向電流
A.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越小,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越大,共模抑制比越大
B.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越大,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越大,共模抑制比越大
C.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越小,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越小,共模抑制比越大
D.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越大,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越小,共模抑制比越大
A.相頻、幅頻、線性、頻率
B.相頻、幅頻、非線性、頻率
C.幅頻、相頻、非線性、線性
D.幅頻、相頻、線性、頻率
A.高輸入阻抗、低共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
B.低輸入阻抗、高共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
C.低輸入阻抗、低共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
D.高輸入阻抗、高共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
最新試題
無線電波中的電場(chǎng)與磁場(chǎng)的夾角應(yīng)為()。
如圖所示電路,晶體管的β=100,rbe=1kΩ,Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測(cè)得靜態(tài)管壓降UCEQ=6V,試求Rb阻值。2.若測(cè)得和的有效值分別為1mV和100mV,求負(fù)載電阻RL大小。
中頻放大器的諧振曲線越接近矩形,說明()。
功放電路工作在乙類放大,在輸入信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi):()
單邊帶發(fā)射機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是()
微分器的輸出幅度不隨()變化而變化。
采用分壓式偏置電路后,()基本不隨溫度變化。
與混頻前的高頻相比中頻信號(hào)的()未發(fā)生變化。
在實(shí)際工作中,要想傳輸信號(hào)能量,其電壓駐波比應(yīng)該()。
()既可以用來調(diào)制,又可以用來解調(diào)。