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單項(xiàng)選擇題
在同樣的過飽和度下,較高溫度時(shí)晶體成長(zhǎng)的速率與晶核生成速率相比要()。
A、慢
B、快
C、相等
D、無法比較
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單項(xiàng)選擇題
當(dāng)()時(shí),流動(dòng)為層流,此區(qū)成為層流區(qū)。
A、Re≤2000
B、2000≤Re≤4000
C、Re≤4000
D、Re≥40000
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單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中不是表示濃度單位的是()。
A、PPm
B、ti
C、mg/l
D、μs/cm
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