A.橫軸為管電壓,縱軸為時(shí)間,以曝光量為參數(shù)
B.橫軸為管電流,縱軸為管電壓,以曝光時(shí)間為參數(shù)
C.a和b都是
D.a和b都不是
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A.37年
B.5.6年
C.75天
D.以上都不對(duì)
A.2.3mm
B.1.5mm
C.4.1mm
D.以上都不對(duì)
A.熒光屏
B.輸入屏+圖像增強(qiáng)器+CCD
C.CMOS成像器
D.以上都是
A.變硬
B.不變
C.變軟
A.RT
B.UTC.MT
D.ET
E.PT
F.VT
最新試題
直接接觸法是指探頭與工件之間()。
關(guān)于液浸法的優(yōu)點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
利用底波計(jì)算法進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)時(shí),適用的工件厚度為()。
單探頭法容易檢出()。
當(dāng)調(diào)節(jié)檢測(cè)靈敏度用的試塊與工件()、曲率半徑不同或材質(zhì)衰減不同時(shí),需要進(jìn)行傳輸修正。
測(cè)長(zhǎng)法是根據(jù)測(cè)長(zhǎng)缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測(cè)得的缺陷長(zhǎng)度稱為缺陷的()。
檢測(cè)靈敏度太高和太低對(duì)檢測(cè)都不利。靈敏度太低,()。
探頭延檢測(cè)面水平移動(dòng),超聲檢測(cè)系統(tǒng)區(qū)分兩個(gè)相鄰缺陷的能量稱為()。
靈敏度采用試塊調(diào)節(jié)法,下面說法錯(cuò)誤的是()。
縱波直探頭徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱時(shí),在第一次底波之后,還有2個(gè)特定位置的反射波,這種波是()。