“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。