P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。