絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。