MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。