“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。