MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。