MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。