MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

（）是最早實現提純和完美晶體生長的半導體材料。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。