P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。