MOS管閾值電壓的單位是eV。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。