問(wèn)答題解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
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1.問(wèn)答題離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
2.問(wèn)答題例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
4.問(wèn)答題例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
5.問(wèn)答題什么是結(jié)深？
最新試題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題