處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。