填空題禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。
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1.單項選擇題金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作封裝底盤、管帽和引線，（）做絕緣和密封。
A.塑料
B.玻璃
C.金屬
2.單項選擇題pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評價（）的重要標(biāo)志。
A.擴散層質(zhì)量
B.設(shè)計
C.光刻
3.單項選擇題非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。
A.小于0.1mm
B.0.5～2.0mm
C.大于2.0mm
4.單項選擇題在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）
A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力
B.焊接電流、焊接時間和電極壓力
C.焊接電流、焊接電壓和焊接時間
5.單項選擇題恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。
A.高斯
B.余誤差
C.指數(shù)
6.單項選擇題外殼設(shè)計包括（）設(shè)計、熱性能設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計三部分，而可靠性設(shè)計也包含在這三部分中間。
A.電性能
B.電阻
C.電感
8.單項選擇題變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。
A.正偏電流
B.反偏電壓
C.結(jié)溫
10.問答題什么叫晶體缺陷？
最新試題
器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實現(xiàn)。
題型：單項選擇題
簡述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？
題型：問答題
反應(yīng)離子腐蝕是（）。
題型：單項選擇題
非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。
題型：單項選擇題
濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。
題型：單項選擇題
平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點的（）。壓力太大，電阻值下降，對形成焊點不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點。
題型：單項選擇題
半導(dǎo)體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。
題型：單項選擇題
單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？
題型：問答題
恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。
題型：單項選擇題
簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求？
題型：問答題