半導體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結溫下工作。

半導體材料可根據(jù)其性能、晶體結構、結晶程度、化學組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學組成可分為（）半導體、（）半導體、固溶半導體三大類。

雜質原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可分為（）擴散和（）擴散兩種。

熱分解化學氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應，在基片表面淀積二氧化硅。

恒定表面源擴散的雜質分布在數(shù)學上稱為（）分布。

引線焊接有哪些質量要求？

雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關。

非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。

延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機化學氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

厚膜元件燒結時，漿料中的固體顆粒由接觸到結合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉變?yōu)闊崃W中更穩(wěn)定的狀態(tài)。