濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。

雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。

金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。

典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？

平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點的（）。壓力太大，電阻值下降，對形成焊點不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點。

變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。

熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實現(xiàn)。

半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。

簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求？