填空題外殼設計包括電性能設計、熱性能設計和結(jié)構設計三部分,而()設計也包含在這三部分中間。
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氣中的一個小塵埃將影響整個芯片的()性、()率,并影響其電學性能和()性,所以半導體芯片制造工藝需在超凈廠房內(nèi)進行。
題型:填空題
簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求?
題型:問答題
簡述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求?你如何檢查你的工藝質(zhì)量?
題型:問答題
雙極晶體管的高頻參數(shù)是()。
題型:單項選擇題
非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時,絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離,稱為間隙,通常為()。
題型:單項選擇題
反應離子腐蝕是()。
題型:單項選擇題
延生長方法比較多,其中主要的有()外延、()外延、金屬有機化學氣相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。
題型:填空題
典型的GaAsMESFET結(jié)構IC的工藝流程?
題型:問答題
有哪幾種常用的化學氣相淀積薄膜的方法?
題型:問答題
雙極晶體管的1c7r噪聲與()有關。
題型:單項選擇題