器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來(lái)實(shí)現(xiàn)。

雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。

變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。

濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。

非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。

引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)（）的重要標(biāo)志。

在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2％（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98％（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20％的運(yùn)載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。

禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。