單項(xiàng)選擇題反應(yīng)離子腐蝕是（）。
A.化學(xué)刻蝕機(jī)理
B.物理刻蝕機(jī)理
C.物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合
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1.單項(xiàng)選擇題恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。
A.高斯
B.余誤差
C.指數(shù)
2.單項(xiàng)選擇題常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型膠粘劑3大類。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用（）。
A.熱塑性樹脂
B.熱固性或橡膠型膠粘劑
3.單項(xiàng)選擇題在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2％（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98％（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20％的運(yùn)載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。
A.80％～90％
B.10％～20％
C.40％-50％
4.單項(xiàng)選擇題超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。
A.管帽變形
B.鍍金層的變形
C.底座變形
5.單項(xiàng)選擇題金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。
A.合金A-42
B.4J29可伐
C.4J34可伐
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雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。
題型：填空題
變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。
題型：單項(xiàng)選擇題
典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？
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雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。
題型：單項(xiàng)選擇題
有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？
題型：問答題
塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有（）、模具溫度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時(shí)間。
題型：單項(xiàng)選擇題
器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實(shí)現(xiàn)。
題型：單項(xiàng)選擇題
引線焊接有哪些質(zhì)量要求？
題型：問答題
非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。
題型：填空題