單項選擇題離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
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1.多項選擇題硅外延片的應用包括（）。
A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路
2.多項選擇題硅外延生長工藝包括（）。
A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長溫度，生長壓力，生長速度
D.尾氣的處理
3.單項選擇題位錯的形成原因是（）。
A.位錯就是由彈性形變造成的
B.位錯就是由重力造成的
C.位錯就是由范性形變造成的
D.以上答案都不對
4.單項選擇題下列晶體管結構中，在晶體管輸出電流很大時常使用的是：（）
A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結構
D、梳狀結構
5.單項選擇題腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）
A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸
最新試題
光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）
題型：判斷題
半導體芯片制造工藝對水質的要求一般.（）
題型：判斷題
硅MOSFET和硅JFET結構相同。（）
題型：判斷題
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復原狀。（）
題型：判斷題
液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產生過飽和結晶。（）
題型：判斷題
門陣列的基本結構形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）
題型：判斷題
表面鈍化工藝是在半導體芯片表面復蓋一層保護膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）
題型：判斷題
干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）
題型：判斷題
位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產生線缺陷稱為位錯。（）
題型：判斷題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經過硼、砷摻雜后的兩個pn結質量優(yōu)劣的重要標志。（）
題型：判斷題