厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）

拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來(lái)的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）

設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進(jìn)入凈化區(qū)。（）

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過(guò)硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）

低溫淀積二氧化硅生長(zhǎng)溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）