A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
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A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
A.預(yù)
B.再
C.選擇
A.堿性
B.酸性
C.中性
A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)
A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線(xiàn)性函數(shù)
最新試題
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單,操作方便,晶片缺陷少,均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好,適于批量生產(chǎn),應(yīng)用越來(lái)越普遍。()
晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。()
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。()
干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。()
集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)?
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜,使器件的表面與周?chē)鷼夥崭綦x。()
目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠(chǎng)家嚴(yán)格處理包裝后銷(xiāo)售,一般不能再退火,一經(jīng)退火反而壞了性能。()
厚膜漿料存在觸變性,流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢復(fù)原狀。()
單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列,并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來(lái)的遠(yuǎn)程有序的晶體。()
邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。()