多項選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
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1.單項選擇題將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進(jìn)行曝光的方法，稱為（）曝光。
A.接觸
B.接近式
C.投影
2.單項選擇題光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝（）
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
3.單項選擇題介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來實現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
4.單項選擇題二氧化硅在擴(kuò)散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。
A.預(yù)
B.再
C.選擇
5.單項選擇題Ⅰ號液是（）過氧化氫清洗液.
A.堿性
B.酸性
C.中性
最新試題
點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）
題型：判斷題
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）
題型：判斷題
液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。（）
題型：判斷題
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）
題型：判斷題
雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）
題型：判斷題
半導(dǎo)體芯片制造工藝對水質(zhì)的要求一般.（）
題型：判斷題
光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）
題型：判斷題
厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）
題型：判斷題
位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯。（）
題型：判斷題
敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。
題型：問答題