填空題在擴(kuò)散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì),在整個(gè)過程中這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源,不再有新的雜質(zhì)補(bǔ)充,這種擴(kuò)散方式稱為:()
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1.單項(xiàng)選擇題人們規(guī)定:()電壓為安全電壓.
A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下
2.單項(xiàng)選擇題單相3線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定()
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
3.多項(xiàng)選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同,真空蒸發(fā)工藝可分為:()蒸發(fā)、()蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
4.單項(xiàng)選擇題將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸,再用紫外光照射來進(jìn)行曝光的方法,稱為()曝光。
A.接觸
B.接近式
C.投影
5.單項(xiàng)選擇題光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝()
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
最新試題
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜,帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬,然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí),把膠膜上的金屬一起去除干凈。()
題型:判斷題
厚膜漿料存在觸變性,流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢復(fù)原狀。()
題型:判斷題
晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。()
題型:判斷題
厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜,比表面積就越大,則表面自由能也就越高,對(duì)燒結(jié)越有利。()
題型:判斷題
遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度,另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電導(dǎo)率就越高。()
題型:判斷題
拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率,載流子濃度,遷移率,直徑、厚度、主參考面等。()
題型:判斷題
點(diǎn)缺陷,如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。()
題型:判斷題
設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50%。()
題型:判斷題
設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理,可直接進(jìn)入凈化區(qū)。()
題型:判斷題
雙極晶體管中只有一種載流子(電子或空穴)傳輸電流。()
題型:判斷題