金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）

可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）

場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強度下降。（）

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學(xué)性能都相同。（）

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）