填空題工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、及時(shí)填寫工藝記錄，做到記錄內(nèi)容詳細(xì)、（）、（）、書寫工整、（）。
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最新試題
可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）
題型：判斷題
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）
題型：判斷題
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來越普遍。（）
題型：判斷題
硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）
題型：判斷題
敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。
題型：?jiǎn)柎痤}
厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）
題型：判斷題
離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）
題型：判斷題
液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。（）
題型：判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
題型：判斷題
光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）
題型：判斷題