光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）

光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）

目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）

門陣列的基本結構形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門陣列（）

在半導體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）

在半導體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）

遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導率就越高。（）