刻蝕工藝有哪兩種類型？簡單描述各類刻蝕工藝。

例舉離子注入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)。

描述RF濺射系統(tǒng)。

例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點和缺點。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？