問答題
以P2O2為例說明SiO2的掩蔽過程。
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最新試題
光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
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解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
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離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？
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例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
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什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說明它們是n型還是p型？
題型：?jiǎn)柎痤}
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
題型：?jiǎn)柎痤}