以P2O2為例說明SiO2的掩蔽過程。
最新試題
例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
描述電子回旋共振(ECR)。
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
解釋離子束擴展和空間電荷中和。
例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。
干法刻蝕的目的是什么?例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么?
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低?
描述RF濺射系統(tǒng)。
例出光刻的8個步驟,并對每一步做出簡要解釋。