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問答題
【論述題】說明影響氧化速率的因素。
答案：
1）氧化劑分壓因為平衡情況下，SiO2中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D
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問答題
【論述題】簡述常規(guī)熱氧化辦法制備SiO2介質(zhì)薄膜的動力學(xué)過程，并說明在什么情況下氧化過程由反應(yīng)控制或擴散控制。
答案：
迪爾-格羅夫氧化模型可以很好地預(yù)測氧化層厚度，熱氧化過程主要分為以下三個過程：（1）氧化劑從氣體內(nèi)部以擴散形式穿過滯留層...
問答題
【論述題】簡述雜質(zhì)在SiO2的存在形式及如何調(diào)節(jié)SiO2的物理性質(zhì)。
答案：
熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì)，某些最常見的雜質(zhì)是與水有關(guān)的化合物，其結(jié)構(gòu)如圖所示。如果氧化層在生長中有水存在，一種可能發(fā)生...
