問(wèn)答題說(shuō)明影響氧化速率的因素。
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例出光刻的8個(gè)步驟,并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
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解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。
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敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
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例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
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