問答題

【論述題】什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時，才能發(fā)生濺...

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【論述題】熱蒸發(fā)法淀積薄膜的淀積速率與哪些因素有關(guān)？淀積速率的測量采用什么辦法？
答案：簡述其工作原理。淀積速率與蒸發(fā)材料溫度腔體形狀等因素有關(guān)。淀積速率通常用石英晶體速率指示儀測量。所用器件為一個諧振板，它...
問答題
【論述題】物理氣相淀積最基本的兩種方法是什么？簡述這兩種方法制備薄膜的過程。
答案：物理氣相淀積：蒸發(fā)Evaporation、濺射Sputtering熱蒸發(fā)法：在真空條件下，加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)...
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【論述題】對RTP來說，很難在高溫下處理大直徑晶圓片而不在晶圓片邊緣造成熱塑應(yīng)力引起的滑移。分析滑移產(chǎn)生的原因。如果溫度上升速度加快后，滑移現(xiàn)象變得更為嚴(yán)重，這說明晶圓片表面上的輻射分布是怎樣的？
答案：硅片熱不均勻的因素三個因素造成硅片的熱不均勻問題（硅片邊緣溫度比中心低）：
圓片邊緣接收的熱輻...
問答題
【論述題】簡述RTP在集成電路制造中的常見應(yīng)用。
答案：1）雜質(zhì)的快速熱激活RTP工藝最具吸引力的的熱點之一是晶圓片不用達(dá)到熱平衡狀態(tài)，意味著電活性的有效摻雜實際上可以超過固溶...
問答題
【論述題】簡述RTP設(shè)備的工作原理，相對于傳統(tǒng)高溫爐管它有什么優(yōu)勢？
答案：RTP工藝是一類單片熱處理工藝，其目的是通過縮短熱處理時間和溫度或只縮短熱處理時間來獲得最小的工藝熱預(yù)算（Thermal...
問答題
【論述題】
簡述硼和磷的退火特性。

答案：硼退火特性電激活比例：自由載流子數(shù)p和注入劑量Ns的比對于低劑量的情況，隨退火溫度上升，電激活比例增大。對于高劑量情況，...
問答題
【論述題】什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？
答案：固相外延是指半導(dǎo)體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點或共晶點溫度下外延再結(jié)晶的過程。固相外延存在問題—&mda...
問答題
【論述題】什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？
答案：溝道效應(yīng)：對晶體靶進(jìn)行離子注入，當(dāng)離子速度方向平行于主晶軸時，將很少受到核碰撞，離子將沿溝道運動，注入深度很深。由于溝道...
問答題
【論述題】熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。
答案：離子注入后會對晶格造成簡單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴散系數(shù)...
問答題
【論述題】什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？
答案：非對稱性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ為負(fù)值表明雜質(zhì)分布在表面一側(cè)的濃度增加，即x＜R...

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【論述題】什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

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簡述硼和磷的退火特性。

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【論述題】熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

【論述題】什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

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【論述題】什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？

【論述題】熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

【論述題】什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

【論述題】什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

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【論述題】
簡述硼和磷的退火特性。

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