問(wèn)答題CVD淀積過(guò)程中兩個(gè)主要的限制步驟是什么?它們分別在什么情況下會(huì)支配整個(gè)淀積速率?
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例出光刻的8個(gè)步驟,并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
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描述電子回旋共振(ECR)。
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刻蝕工藝有哪兩種類(lèi)型?簡(jiǎn)單描述各類(lèi)刻蝕工藝。
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離子源的目的是什么?最常用的離子源是什么?
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解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。
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什么是摻雜?例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說(shuō)明它們是n型還是p型?
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解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么?
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例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
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例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
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敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
題型:?jiǎn)柎痤}