下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線,試分析曲線走勢,并給出其變化的原因。
最新試題
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。
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例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
光學光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個重要參數(shù)是什么?
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么?
什么是結深?
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低?高選擇比意味著什么?
解釋發(fā)生刻蝕反應的化學機理和物理機理。