分辨率: 焦深:
采用CF4作為氣體源對SiO2進(jìn)行刻蝕,在進(jìn)氣中分別加入O2或H2對刻蝕速率有什么影響?隨著O2或H2進(jìn)氣量的增加,對Si和SiO2刻蝕選擇性怎樣變化?為什么?
最新試題
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低?
刻蝕工藝有哪兩種類型?簡單描述各類刻蝕工藝。
解釋什么是暗場掩模板?
例出光刻的8個步驟,并對每一步做出簡要解釋。
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么?
什么是硅化物?難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么?
定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率?
描述電子回旋共振(ECR)。
什么是結(jié)深?
描述RF濺射系統(tǒng)。