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單項(xiàng)選擇題

對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴(kuò)散

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單項(xiàng)選擇題

擴(kuò)散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作（）。

A.晶振
B.電容
C.電感
D.PN結(jié)

多項(xiàng)選擇題

擴(kuò)散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項(xiàng)重要的集成電路工藝，現(xiàn)在主要被用來制作（）。

A.埋層
B.外延
C.PN結(jié)
D.擴(kuò)散電阻
E.隔離區(qū)

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