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單項選擇題
對于濃度覆蓋很寬的雜質原子,可以采用()方法引入到硅片中。
A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴散
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單項選擇題
擴散工藝現在廣泛應用于制作()。
A.晶振
B.電容
C.電感
D.PN結
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多項選擇題
擴散工藝在現在集成電路工藝中仍然是是一項重要的集成電路工藝,現在主要被用來制作()。
A.埋層
B.外延
C.PN結
D.擴散電阻
E.隔離區(qū)
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