單項(xiàng)選擇題

在VLSI工藝中，常用的前烘方法是（）。

A.熱空氣對(duì)流法
B.真空熱平板傳導(dǎo)法
C.紅外線輻射法
D.射頻感應(yīng)加熱法

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單項(xiàng)選擇題

涂膠以后的晶片，需要在一定的溫度下進(jìn)行烘烤，這一步驟稱為（）。

A.后烘
B.去水烘烤
C.軟烤
D.烘烤

多項(xiàng)選擇題

涂膠之前，要保證晶片的質(zhì)量以及涂膠工序的順利進(jìn)行，下列操作正確的是（）。

A.進(jìn)行去水烘烤以保證晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好
C.剛剛處理好的晶片應(yīng)立即涂膠
D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥
E.也可以直接使用貯存的晶片